استفاده از گرادیان یونی و نانوذرات در ساخت ترانزیستور خبرنگاران

به گزارش مجله سلو بلاگ، یک گروه تحقیقاتی با استفاده از گرادیان یونی و نانوذرات فلزی اقدام به ساخت نمونه اولیه ترانزیستور های سیلسکونی نموده است.

استفاده از گرادیان یونی و نانوذرات در ساخت ترانزیستور خبرنگاران

به گزارش گروه فناوری خبرنگاران، ترانزیستور ها به عنوان یکی از اجزاء اصلی در ادوات الکترونیکی به شمار می فرایند از این رو، نقش مهمی در توسعه الکترونیک دارند. در حال حاضر از ترانزیستور های سیلیکونی استفاده می گردد، اما دانشمندان راهبرد های دیگری را نیز برای ساخت ترانزیستور دنبال می نمایند.

در میان عناصر، فلزات برای ساخت ترانزیستور مناسب نیستند، چرا که اختلالاتی در عملکرد ترانزیستور ایجاد می نمایند. اما با استفاده ازگرادیان یون ها در فیلم های حاوی نانوذرات فلزی است که با لیگاند های آلی باردار عامل دار شده اند، محققان ترانزیستور هایی از جنس فلز ساختند.

نتایج این کار در قالب مقاله ای در نشریه Nature Electronics به چاپ رسیده است. محققان دانشگاه پلی تکنیک نورث وسترن، مرکز ملی علوم و فناوری نانو و چند موسسه تحقیقاتی از چین به تازگی راهبردی برای ایجاد ترانزیستور ها و مدار های منطقی با راهنمایی الکتریکی قابل تنظیم ارائه کردند که در آن از نانوذرات فلزی استفاده شده است. محققان در طراحی این ترانزیستورها، هم از نظر کارایی و هم از نظر راهنمایی الکتریکی به نتایج چشمگیری دست یافتند.

محققان در مقاله خود نوشتند: ما نشان می دهیم که ترانزیستور ها و مدار های منطقی می توانند از فیلم های نازک حاوی نانوذرات طلای عامل دار ایجاد شوند. با استفاده از گرادیان یونی پویا و به وسیله پیکربندی غیرمتعارف پنج الکترودی این ترانزیستور ساخته شده است. این ترانزیستور ها قادر به تنظیم 400 برابر رسانایی الکتریکی بوده و با ترکیب آن ها با دیود ها و مقاومت های نانوذرات فلزی، می توان از آن ها برای ساخت دروازه های منطقی NOT، NAND و NOR و همچنین یک مدار نیمه جمع نماینده استفاده کرد.

مطالعات گذشته نشان داده است که مدار های منطقی ساخته شده از نانوذرات فلزی به طور قابل توجهی کندتر از ترانزیستور های مبتنی بر سیلیکون هستند. با این وجود، آن ها از بعضی ویژگی های سودمند برخوردار هستند. به عنوان مثال، این ترانزیستور ها می توانند در محیط های مرطوب کار نمایند، انعطاف پذیر بوده و تخلیه الکترواستاتیک را تحمل می نمایند، چیزی که می تواند به دستگاه های مبتنی بر سیلیکون آسیب برساند.

در ارزیابی های اولیه، ترانزیستور جدید عملکرد چشمگیری داشت. این ترانزیستور علاوه بر داشتن راهنمایی الکتریکی قابل تنظیم، می تواند در برابر تخلیه الکترواستاتیک مقاومت کند. علاوه بر این، هنگامی که روی لایه های انعطاف پذیر قرار می گیرد و این ساختار ها کشیده یا تغییر شکل می یابند، به خوبی کار می نماید.

در این پروژه، محققان الکترود ها را روی یک فیلم انعطاف پذیر پلی اتیلن ترفتالات (PET) قرار دادند. تا به امروز آن ها فقط نمونه اولیه ترانزیستور را برای ارزیابی مزایای آن ایجاد نموده اند. برای ادغام در دستگاه های الکترونیکی واقعی، ضروری است که این فناوری بیشتر توسعه داده و آزمایش گردد.

namasho.com: نماشو: آگهی رایگان، رپورتاژ خبری، طراحی سایت، سئو و بهینه سازی وبسایت

picosho.ir: پیکوشو: مجله عکس و گرافیک

منبع: خبرگزاری دانشجو
انتشار: 27 آبان 1400 بروزرسانی: 27 آبان 1400 گردآورنده: sloblag.com شناسه مطلب: 30353

به "استفاده از گرادیان یونی و نانوذرات در ساخت ترانزیستور خبرنگاران" امتیاز دهید

امتیاز دهید:

دیدگاه های مرتبط با "استفاده از گرادیان یونی و نانوذرات در ساخت ترانزیستور خبرنگاران"

* نظرتان را در مورد این مقاله با ما درمیان بگذارید